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CMOS RF技术的崛起
发布时间:2013/7/27 11:08:48
 

近来,各种移动设备导入CMOS(互补金属氧化物半导体)RF的需求显著攀升。随着移动设备继续向更多功能、更小体积、更低价格方向发展,对其内部的RF系统集成度、尺寸和成本的要求越来越高。CMOS工艺具有简单、功耗低、集成度高、芯片尺寸小和成本低的特性,不仅可降低RF器件生产难度,在扩产方面也相对材料特殊的砷化镓方案容易,甚至能与基带处理器、存储器等元件整合为单一系统单芯片(SoC),因而被视为RF产业新星。

   
目前,CMOS RF技术已被芯片和系统厂商视为重点布局方案。芯科实验室、德州仪器、英特尔等相继推出了CMOS RF产品,包括将MEMS架构直接建构于标准CMOS晶圆上的高整合度振荡器、采用45nm制程技术的CMOS太赫兹频率发射器,以及采用32nm工艺CMOS技术制造的RF电路等。

    CMOS+MEMS 整合架构振荡器

 

Silicon Labs日前推出了业界最高整合度的Si50x振荡器。新产品基于Silicon Labs首创的CMOS+MEMS整合架构--专利的CMEMS技术,为首项在量产中将MEMS架构直接建构于标准CMOS晶圆上、并达到完全整合的“CMOS+MEMS”单芯片解决方案。

    Silicon Labs
副总裁兼时序产品总经理Mike Petrowski表示,“Si50x CMEMS振荡器系列产品是频率控制市场的重要技术进展。通过结合公司专业的MEMS设计、组件、制程整合和混合信号设计技术,Si50x系列产品为重视成本和功耗的嵌入式、工业和消费性电子应用提供了最佳的通用型振荡器解决方案。

    CMOS太赫兹发射器


TI开发采用锁相回路架构的CMOS制程太赫兹发射器芯片

    2012年初,美国研发机构SRC赞助开发出一款在太赫兹频率运作的CMOS探测器。随后,德州仪器(TI)发布了一款能与之搭配的太赫兹频率发射器,该发射器采用了锁相回路(PLL)来稳定其频率。

    TI
设计工程师Brian Ginsburg表示,稳定超高频率是未来让CMOS制程毫米波应用成功商业化的关键,锁相回路也是实现所有高性能电子组件的根本。
 

CMOS RF电路

   英特尔采用32nm工艺硅CMOS技术制造了功率放大器、LNA以及RF开关等RF电路,于2011年全球移动大会上公布了研究成果,并现场进行了通信的演示。


   利用此尖端工艺技术,英特尔将一般情况下由基带处理器、RF收发器IC及前端模块这3枚芯片组成的无线通信用电路整合为1枚芯片。


   
国内首颗自主产权CMOS GSM RFeIC

    近期,中科汉天下推出国内首颗可大规模量产并具有完全自主知识产权的CMOS GSM RFeIC—HS8269。新产品采用标准CMOS工艺,将全部电路(射频功率放大器、控制器和天线开关)集成于一颗CMOS晶圆中,实现了目前GaAs射频前端方案至少需要三颗晶圆才能实现的功能,该芯片支持四频段发射(GSM850/ EGSM900/ DCS1800/ PCS1900)和双频段接收(GSM/ DCS),能够有效实现功率放大、功率控制、开关切换的功能。


    中科汉天下董事长杨清华表示,“HS8269集成在一颗CMOS晶圆上,有更高的集成度、更低的成本。作为一款具有业界最高性价比的CMOS GSM射频前端芯片,HS8269能够帮助我们的客户快速推出更有竞争力的手机终端。


   
双频/双模纯CMOS RFeIC

    RFaxis公司近期发布了最新的5GHz 802.11acCMOS单芯片/单硅片RFeIC产品-RFX5010的样品。新产品支持所有现有和新增协议(包含2.4GHz5GHz频段下的IEEE 802.11bganac)的Wi-Fi应用。


   RFaxis公司董事长兼CEO Mike Neshat表示,很高兴能为我们的客户和合作伙伴提供全球同类最佳的802.11ac RF前端解决方案,且其价格远低于竞争对手目前提供的传统的802.11a/n前端解决方案。


   MOS
可变电抗器模型模拟CMOS毫米波电路

    2012年底,东芝公司(Toshiba)与冈山县立大学联合研制出精确度从DC(直流)至毫米波(60 GHz)的紧凑型MOS可变电抗器模拟模型。新模型能够准确捕捉到寄生效应,这就为实现RF-CMOS产品的低功耗提供了支持。


    新模型对于寄生效应的精确捕捉实现了RF-CMOS产品的低功耗特点,同时东芝将把这项基本的技术用于开发此类芯片,并期望在未来获得对于CMOS毫米波段电路的精确模拟。


    当今,越来越多的半导体和系统厂商推出应用CMOS工艺技术的产品,除了上述提到的振荡器、发射器、功率放大器和射频开关等器件,未来CMOS RF应用还将持续往Wi-Fi3G/4G功率放大器等方面推进。

原文来自www.cntronics.com/

 
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